תנור

הנדסת חומרים מתקדמים

פיסיקה של מוליכים למחצה




The Physics of Semiconductor
קוד קורס: 20046
3.5 נ"ז

יסודות המבנה הגבישי, תהליכי זיקוק החומר וגידול גבישים, מוליך למחצה אינטרינסי ואקסטרינסי, אלקטרונים וחורים חופשיים – נושאי מטען ברוב ובמיעוט, התכונות הדינמיות של נושאי מטען חופשיים: תהליכי גנרציה-רקומבינציה, ניידות, דיפוזיה, זמן חיים ומרחק דיפוזיה. משוואת הזרימה ומשוואת הרציפות. שיטות נסיוניות לאפיון מוליכים למחצה. מודל פסי האנרגיה. צפיפות המצבים. הסתברויות אכלוס. מסה אפקטיבית. מוליך למחצה אינטרינסי ואקסטרינסי בשווי משקל.

דרישות הקדם והדרישות המקבילות בקורס פיסיקה של מוליכים למחצה הינן:

דרישות קדם: פיסיקה 3 – גלים ואופטיקה (20045), מבוא לתורת הקוונטים (20028)
דרישות מקבילות: אין

לחצו למעבר אל תוכנית לימודי הנדסת חומרים מתקדמים

שיתופי פעולה: