תנור

הנדסת חומרים מתקדמים

התקנים של מוליכים למחצה




Semiconductor Devices
קוד קורס: 20011
3.5 נ"ז

מבנה דיודת הצומת ועקרון פעולתה. דיודה רחבה, דיודה צרה ודיודה כללית. מגע מתכת – מוליך למחצה. מגע אוהמי, דיודת שוטקי.
מבנה ועקרון הפעולה של הטרנזיסטור JFET מבנה ועקרון הפעולה של הטרנזיסטור הביפולרי. התקן SCR , קבל MOS , טרנזיסטור MOS. התקנים מתקדמים.

דרישות הקדם והדרישות המקבילות בקורס התקנים של מוליכים למחצה הינן:

דרישות קדם: פיסיקה של מוליכים למחצה (20046)
דרישות מקבילות: אין

לחצו למעבר אל תוכנית לימודי הנדסת חומרים מתקדמים

שיתופי פעולה: